本文引用地址：问题：对高性能记忆的需求不断增长，尤其是在人工（AI）应用中的高带宽（HBM）内存的需求，是否会导致自动测试（ATE）制造商的更复杂设计？答案AI需要高密度和带宽才能正确处理数据，因此HBM很重要。 ATE制造商及其系统开发的需要维持高级内存接口测试的开发。 ADI的CMOS开关适用于内存测试内存存储器。这些CMO开关具有快速传导和可扩展性等功能，可以同时改进测试的测试功能，因此测试记忆记忆更全面和快速。介绍随着AI应用程序继续对高性能内存的需求，尤其是高带宽（HBM）内存的需求，芯片内存设计将更加复杂。 ATE制造商是验证内存存储器的主要组成部分，目前是FAC随着压力的增加，需要继续提高其满足此请求的能力。传统上，在晶圆探针功率应用的记忆中，PhotoMos®开关用于其出色的低容量，使电阻性能乘以（CXR）。低CXR有助于减少信号失真，改善分离，同时实现更快的传输速度和降低进入损失。除上述好处外，光莫斯开关的关闭电压也很高，但是在可靠性，可扩展性和传导速度方面也存在一些局限性。其中，缓慢的传导始终是客户不满意的主要原因。为了应对这些挑战，ADI开发了新的开关，以替代晶圆探针内存应用程序。 ADI开关的性能不仅非常快，而且具有低CXR属性，可以确保良好的移动。此外，它具有良好的可扩展性，可以提高测试的并行处理能力S，允许Ate处理更大的尺寸和更快的测试活动。如今，人工智能应用程序对良好和高性能记忆测试的需求不断增长，而Ate公司正在积极寻找更好的解决方案。在这种情况下，ADI交换机已成为具有一系列剩余功能的强大替代型号。 Ate设置中的应用程序示意图起着非常重要的作用。该开关可以将测试（DUT）下的多个设备连接到相同的测量仪器（例如PMU单位测量参数），或将它们与测量仪器断开以执行测试过程。具体而言，PMU开关允许其将特定电压应用于不同的DUT，并看到由DUT喂养的波。开关可以简化测试过程，并且何时需要许多DUT进行同时或按照一致的评估时，这种效果就会更加清楚。通过使用开关，我们可以将PMU电压分配到许多DUTS并看到电流，这不仅可以改善S测试效率，但也完全降低了每个测试之间的测试设备的重新配置的麻烦。照片1 PMU开关应用程序照片2 Photomos和CMOS Switch体系结构图1显示了如何使用开关赚取简短的构建矩阵调整，以便PMU可以检查很多DUT。此调整减少了对许多PMU的需求并简化了接线，从而大大提高了ATE和关键系统的灵活性和可扩展性，用于在大批次或多个设备中测试环境。为了促进对审查研究的理解（即使用开发的硬件审查板比较摄影开关和CMO开关的比较），以及研究获得的结果，有必要比较Photomos开关和CMOS开关。更容易看到两者的体系结构的差异。 CMOS开关和镜面开关的体系结构不同，图2显示了SW时关闭电容器（COFF）瘙痒不已。该寄生电容器位于输入源引脚和输出引脚之间。对于摄影开关，COFF位于排水销之间。此外，摄影开关具有输入到输出电容器（也称为排水电容器），而输入电容器也存在于发光二极管（LED）阶段，用于打开和关闭输出MOSFET。对于CMOS开关，COFF位于资源和排水销之间。除COFF外，CMOS开关还具有运河到地的电容器（CD）和一个源对地电容器（CS）。地面电容器也是客户在使用CMO时经常抱怨的问题。当启用任何开关时，输入信号可以发送到输出，在该输出之间存在抗性（RON），在起源和排水销之间存在抗性（RON）。通过了解该体系结构的细节，研究和评估诸如能力，RON的绩效指标和在我们的研究中学习等绩效指标更容易为了确保为特定应用程序选择了正确的开关类型。开关规格和添加值以更好地执行开关的定性和音量，应评估其为系统设计应用程序带来的附加值。如上所述，对于图1中所示的应用程序，ADG1412是理想的，可以轻松替换Photomos开关。该CMOS开关是一个四通道单极单插入（SPST）设备，具有出色的功能，您是高电力处理能力，快速响应时间，低抗性和低泄漏电流。设计人员可以通过比较表1中列出的重要指标来衡量其优势，以评估开关和CMOS标记的性能。这将有助于更深入地了解设备信号传输的效率，并且对于复杂或敏感的电子系统非常有用。表1 Switch Switch Revery Photomos 1-form-A（1）ADG1412的分析（QU）AD SPST）值添加的记分卡泄漏电流1NA30PA适用于泄漏电流测试； Output voltage error contribution is smaller cmos switch is better coff0.45pf1.6pf waveform distortion is lower, separation is higher photomos switch Ay better Ron12ω1.5Ω output signal drop is lower, insertion loss is lower CMOS switch is better (CXR) product 5.4pf.ω2.4pf.Ω* waveform distortionmas small, higher isolation, lower signal loss photomos switch is slightly better because its canal capacity is少于较低的管道[CXR（OFF）]较高的容易容量[CD（off）] CXR的性能较差，导致输入信号的失真，较低的关闭分离，更好的流速速度200μs100ns移动容量更快的CMO，更好的电压和更好的电压和当前的容量和当前的容量（32V，120mA）可以使CRAND OF ERTIVE CRINCE CRINCT OF ERTIVE CRINCT OF ERTIVE CRINCT to DRESS降低到CMOS的速度，降低了cmos的速度，降低了cmos的速度，降低了cmos的速度，降低了CMOS的速度//降低CMOS的速度，请降低CMOS的速度//降低CMOS的速度// 50％的CMO切换MM2之后的Pakete 3.55mm2 4.00的更好区域布局，开关区域非常接近 *CD（OFF）将影响CXR产品的性能。离职：当开关关闭时，这两个开关离散曲线（图3）表明输入信号完全限制（以100 kHz为-80 dB），并且未达到输出。随着频率的增加，显影符的性能开始略高，两者之间的差异为-10 dB。对于图1（DC开关）中所示的应用程序的传输，电容器的传输无关紧要，并且重要传递参数是低泄漏电流，传导速度和低插入损耗。图3关闭曲线分离的损失：抗性较低的开关很重要。插播的I*r电压限制了系统的性能。ron在设备和温度变化的原因之间变化越小，测量误差越小。图4中的插入损失曲线显示在频率处NCY为100 kHz，摄影开关插入的损失为-0.8 dB，而CMOS开关插入物的丢失仅为-0.3 dB。它进一步证实了CMOS开关的RON较低（1.5Ω）。图4插入损耗图5在驱动器提供-DA/逻辑电压时，开关时间的开关时间为开关，将其关闭并传递输出信号，如果使用了摄影仪开关，将会有很大的延迟（如图5所示）。速度较慢是由LED输入阶段的输入容量以及内部电路产生的延迟，以将电流转换为驱动G门MOSFET所需的电压。缓慢的传导速度始终是客户不愉快的主要原因，这将影响系统整体应用的速度和性能。相比之下，CMOS开关的传导（100 ns）的传导比Photomos开关（200,000 ns）的传导是2000次（×2000），这可以更好地满足系统应用的需求。 de符号：如果系统使用光电组开关并遇到诸如较低精度测量，缓慢的流速，过度的系统资源以及难以提高通道密度的难度，然后将解决方案升级到CMOS开关的开关等问题，则用ADG1412开关代替PhatoMOS。图6显示了MOS开关之间的显影开关和CANG连接点字母。因此，系统设计是MCMOS开关可用于以较低的成本实现更高的通道密度。图6开关连接点ADI开关可以改善通道密度表2列出了一些可以改善通道密度的ADI开关示例。这些开关具有相似的性能优势，例如ADG1412，其抵抗力较低（小于0.5Ω），并且比摄影开关便宜。这些开关提供了一个串行外围界面（SPI）和并行接口，可轻松控制控制处理器。表2可以改善通道密度产品的ADI开关的示例RON（ω）开关调整1ku价格/频道（$）ADG24120.5 QUAD-CHANNEL SPST非常有竞争力的ADG64120.5 Quad-Channel SPST SPST非常有竞争力的ADGS2414D0.56SPI：八频道SPST SPST非常方便的结论非常方便，该潜在电位CMOS开关。在Ate应用中，ADG1412可以正确替换摄影开关。比较表明，CMOS开关的性能达到甚至超出了期望，尤其是在移动电容器或排水电容器几乎不需要的情况下。此外，CMOS开关还具有明显的优势，例如通道密度增加和成本降低。 ADIS CMOS的CMOS产品系列非常丰富，不仅提供了较低的抵抗模型，而且还支持两个并行和SPI的控制接口，该界面支持在ATE系统中使用CMOS开关。 Edwin Omoruyi的介绍是Adi Ireland仪器部门产品申请的高级工程师。当2007年，他毕业从利默里克技术学院获得电子系统工程学士学位。 2010年，他毕业于利默里克大学（Limerick University），获得了超大综合赛道（VLSI）的硕士学位。从2010年到2018年，埃德温（Edwin）担任ADI电子部的汽车和驾驶舱的应用程序工程师，然后到2023年，他再次加入了ADI。除了在ADI的工作经验外，他还担任自动和制造业系统的建筑师，该系统负责开发AD/ADAS感应应用程序。